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逆变器市场正处于高速增长阶段，第三代半导体为其“高转换效率”和“低能耗”提供优良性能

来源：互联网
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2021-11-19
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商铺出租转让

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根据 TrendForce集邦咨询最新报告《2021第三代半导体功率应用市场》，受益于新能源汽车、光伏储能、智能电网、工业自动化等下游应用市场需求的多点爆发，功率半导体市场迎来了此轮高景气周期。

第三代半导体SiC/GaN将通过突破Si性能极限来开拓功率半导体新市场，也将在部分与Si交叉领域达到更高的性能和更低的系统性成本，是未来功率半导体产业发展的重点方向。

TrendForce集邦咨询分析2025年第三代半导体SiC/GaN功率市场规模合计可达47.1亿美元，相比2020年7.3亿美元，CAGR达45%。

SiC功率产业链结构分析

N型SiC衬底

作为产业链最关键环节，Wolfspeed/SiCrystal(Rohm)/ II-VI等国际大厂占据了绝大部分市场份额，其中Wolfspeed位于美国北卡罗莱纳州的8吋SiC衬底产线预计将在2022年上半年开始产能爬坡。天科合达/山东天岳/烁科晶体/同光晶体等中国厂商开始崭露头角，但主流尺寸仍停留在4吋，6吋刚刚步入量产，与国际巨头差距不小。

外延

衬底或器件厂正在向产业链上下游延伸具备外延能力，纯粹的外延片供应商较少，主要集中在昭和电工/台湾嘉晶/瀚天天成/东莞天域。

器件

自SiC二极管首次商业化以来，SiC功率市场一直由供电应用推动，直到其2018年首次应用于特斯拉主驱逆变器后，汽车逐渐成为杀手级应用。SiC 功率器件可靠性及成本已达到了电动车、光伏、轨道交通等应用要求，市场进入高速增长期。

根据TrendForce集邦咨询分析，全球SiC功率市场规模将从2020年的6.8亿美元增长至2025年的33.9亿美元，CAGR达38%。

晶圆代工

市场尚处于起步阶段，目前具备规模化代工能力的Foundry主要集中在德国X-Fab和台湾地区汉磊。

GaN功率产业链结构分析

GaN-on-Si已成为GaN功率器件主流结构。

外延：全球主流GaN外延片供货商依旧集中在欧洲国家及日本，中国企业尚未进入供给端第一梯队。除了纯粹的外延厂以外，部分晶圆代工厂在产业链上进行延伸，同样具备外延能力。

器件：面向消费市场的650V GaN产品已经形成了批量供货能力，但更高压器件仍然较少。

根据 TrendForce集邦咨询分析， Navitas/PI/英诺赛科将占据2021年GaN功率市场前三名。与此同时，全球GaN功率市场规模预计将从2020年的4800万美元增长到2025年的13.2亿美元，CAGR达94%。