铠侠发布目前最薄UFS 3.1闪存芯片 封装厚度仅有1.1mm

铠侠发布目前最薄UFS 3.1闪存芯片 封装厚度仅有1.1mm视频推广 近日，铠侠发布了一款全球最薄的1TB UFS 3.1闪存芯片，这款闪存芯片的封装厚度只有1.1mm，可实现2050 MB/s的顺序读取速度以及1200 MB/s的顺序写入速度。闪存颗粒为BiCS FLASH™3D NAND，并且支持W

近日，铠侠发布了一款全球最薄的1TB UFS 3.1闪存芯片，这款闪存芯片的封装厚度只有1.1mm，可实现2050 MB/s的顺序读取速度以及1200 MB/s的顺序写入速度。闪存颗粒为BiCS FLASH™3D NAND，并且支持WriteBooster和HPB技术，WriteBooster可有效提高这款闪存芯片的写入速度，而在引入HPB技术后也提高了它的随机读取性能。

HPB技术全称Host Performance Booster，它能解决手机在使用过程中逐步变卡的问题，长时间使用手机后运行变慢卡顿的原因之一就是由于文件系统碎片化和存储器随机读性能下降所导致。由于存储器的缓存能力有限，频繁重载L2P Map表就会造成性能开销过大。而HPB技术可利用手机的内存来缓存L2P Map表， 从而提升了长时间随机读取能力的表现。

虽然目前使用铠侠UFS 3.1闪存的手机还是相对较为少见，比较知名的手机有全球首发高通骁龙870的motorola edge s和三星Galaxy Note 20，不过这款全新推出的闪存芯片应该会有不错的竞争力，较薄的封装设计也能进一步减小手机的厚度，预计未来会有更多的智能手机会用上这款闪存芯片。