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　　Baliga 具有 123 项美国专利，此中包罗很多其他已贸易化的创造。分栅功率 MOSFET 被普遍用于条记本电脑、小我私家电脑和效劳器。他的碳化硅创造（包罗 JBS 整流器和屏障通道功率 MOSFET）被用于各类开始进的电力办理手艺。

　　Baliga是美国国度工程院院士（1993 年）、欧洲科学院院士（2005 年），也是IEEE 院士（1983 年）。

　　在Baliga撰写的《IGBT: The GE Story [A Look Back]》一文中，引见了 GE 的 IGBT 观点、开辟和贸易化背后的汗青。Baliga在现有的功率 MOSFET 消费线上完善地开辟了 IGBT 产物，并在掩模和制作工艺设想方面敷衍了事地存眷细节，这对其胜利相当主要。胜利抑止了 IGBT 中的寄生晶闸管闩锁成绩，并为 MOS 门控器件创立了电子辐照寿命掌握历程，使 IGBT 可以便利地定制以用于普遍的使用。通用电气为消耗、产业和照明行业消费的普遍产物组合为 IGBT 手艺的普遍利用和影响供给了共同的情况。

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　　1997 年，《科学美国人》杂志在留念晶体管创造 50 周年时，将他列为“半导体反动八大豪杰”之一。

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　　通用电气公司于 20 世纪 80 年月初初次展现了 IGBT，在已往的 40 多年中，它获得了长足的开展。跟着设想、封装和热办理方面的前进，硅基 IGBT 在高电流和高电压方面都获得了长足前进，牢靠性也更高。击穿电压已从 600 V 进步到 6500 V，电流处置才能也从 10 A 进步到 2000 A 以上。现在，IGBT 是电动汽车 (EV) 和混淆动力汽车和消耗和产业使用中利用的大大都其他电念头中必不成少的功率晶体管。它遍及天下各地，在病院布置的 X 光机、CAT 扫描仪和 MRI 单位等医疗诊断装备中、在我们厨房中的微波炉和电磁炉中、在家庭和修建物的空和谐制冷装备中、在便携式除颤器中，它都低落了能耗，使电力利用愈加牢靠。这些装备都是由 IGBT 完成的太阳能维修58同城，如今每一年都活着界各地援救无数性命。当代 IGBT 的机能容量曾经扩大到现在基于 IGBT 的电源转换器和逆变器险些占有了一切次要使用的主导职位，额定功率在 1kW 到 10 MW 之间。

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　　美国北卡罗来纳州立大学声誉传授 Bantval Jayant Baliga 因其在绝缘栅双极晶体管 (IGBT)的创造、开辟和贸易化方面的指导感化而得到承认，为此，他被授与 2024 年千禧手艺奖，奖金为 100 万欧元。

　　Baliga 传授及其团队今朝正在研讨两项新创造，以进一步进步太阳能发电、电动汽车和野生智能效劳器电力运送范畴的服从。Baliga 传授暗示：“我近来的一项创造是 Baliga 短路改良观点 (BaSIC)，旨在消弭产业和电动汽车使用的机电驱动器中利用的碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET 短路耐受工夫较差的停滞。我的第二项新创造是双向场效应晶体管 (BiDFET)，它使矩阵转换器可以用于电力电子使用。与现有的电压源逆变器比拟，矩阵转换器在尺寸、服从和牢靠性方面完成了史无前例的改良。电力电子专家暗示，这将对电力运送和办理发生反动性的影响。”

　　2014年太阳能维修58同城，他因“创造、完成和贸易化功率半导体器件，为社会带来普遍长处”而被授与IEEE声誉勋章。

　　帮助电源体系：在帮助体系中太阳能维修58同城，IGBT 掌握电池冷却体系、再生制动体系和帮助电源体系，以进步车辆体系的服从和牢靠性。在电池冷却体系中，IGBT 次要用于及时监控和掌握电池温度。经由过程传感器获得温度信息，IGBT 能够在须要时调解冷却体系的运转。

　　1980 年 10 月，Baliga发起开辟和贸易化 IGBT。在GE于1983年6月公布IGBT产物后，GE给包罗富士机电、日立、三菱和东芝等公司受权IGBT。

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　　2015 年，他因创造、开辟和贸易化绝缘栅双极晶体管而得到环球能源奖，这是能源掌握和分派范畴最主要的立异之一。

　　在传统燃油车范畴，IGBT就曾经阐扬了感化。好比在 HID 灯镇流器中，IGBT 凡是用于 H 桥设置，以办理灯在焚烧、预热和运转形式下的运转太阳能维修58同城。在间接燃油放射使用中，IGBT 掌握精细放射器内压电元件的高压施行器。

　　Baliga于 1974 年参加 GE 研发中间太阳能板的规格。第一个使命是在 2 英寸直径的硅晶片上开辟阻断电压才能为 3000 V 的晶闸管。“我意想到晶闸管的阻断电压才能和栅极驱动电流必需互相衡量。可以接受较大 dV/dt 的装备需求更大的栅极触发电流。增长晶闸管的 dI.dt 才能需求栅极打仗散布，比方渐开线构造，从而发生更大的驱动电流。这些经历在构想 IGBT 构造时十分有代价。”

　　这并非Baliga的初次获奖，2016 年，Baliga 当选美国国度创造家名流堂，福布斯杂志将他评为天下上负碳脚印最大的人。

　　按照市场阐发师 Verified Market Research 的数据，2024 年 IGBT 市场范围代价 83 亿美圆，估计到 2031 年将到达 168.4 亿美圆，2024 年至 2031 年的复合年增加率为 9.25%。鞭策这一市场开展的枢纽身分包罗可再生能源的日趋提高、电动汽车的增加和交通电气化、产业主动化和变频驱动器的前进太阳能板的规格、智能电网和先辈的电源办理体系。

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　　自 20 世纪 80 年月初推出以来，硅 IGBT 不断是消耗和产业使用顶用于高效电源转换和机电掌握的盛行功率半导体器件。因而，IGBT 完成了服从的进步和化石燃料耗损和本钱的低落太阳能维修58同城，完全改动了电力行业。该手艺在已往 30 年中将环球二氧化碳排放量削减了 820 亿吨以上（180 万亿磅），这是应对天气变革的一项宏大成绩。“因为 IGBT，天下最少没必要制作 600 座内华达州胡佛大坝巨细的水力发电站。”

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　　电池办理体系：IGBT 是电池办理体系中的枢纽元件，电池是电动汽车的储能单位，IGBT 的可控性和高输入阻抗使其成为电池充放电历程的幻想调理器，经由过程准确掌握 IGBT 的开关操纵，完成快速充电、高效放电、限流、温度庇护和电池形态监控，确保宁静，耽误电池寿命，进步宁静机能。

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　　而到了电动汽车时期，IGBT饰演着绝对相当主要的脚色太阳能板的规格，是中心手艺部件。IGBT在电动汽车中占本钱近10%，在充电桩中占约20%。它在电动汽车范畴的次要使用范畴以下：

　　制动体系：制动过程当中，车轮活动发生的机器能被转换成电能。经由过程 IGBT 掌握的逆变器操纵，该电能被传输到储能装备，凡是是电池。此历程存储制动过程当中发生的能量，避免华侈。随后，这些存储的能量可用于供给分外的动力，从而增长电动汽车的续航里程。

　　1977 年 7 月 26 日，Baliga向 GE 提交了一份关于晶闸管 MOS 门控的专利表露，这也被视为GE IGBT设想和尝试演示的枢纽。

　　一样，千年手艺奖国际评比委员会主席 Päivi Törmä 传授指出：“环球三分之二的电力用于驱动消耗和产业使用中的机电。Baliga 传授的立异使我们可以高效地操纵电力开展社会，同时大幅低落能源耗损。”电力电子是任何当代社会的枢纽撑持手艺，此中流程和能源体系的主动化阐扬着愈来愈主要的感化。在已往的 40 年里，直到明天，IGBT 仍旧是最主要的功率半导体器件。”

　　芬兰手艺学院（该奖项的颁布机构）董事会主席 Minna Palmroth 传授暗示：“IGBT 曾经并将持续对可连续开展发生严重影响，进步环球糊口程度，同时减轻情况影响。应对环球变暖的次要处理计划是电气化和转向可再生能源。IGBT 是处理这些成绩的枢纽手艺。” Palmroth 弥补道：“我出格快乐的是，该奖项阐清楚明了一项立异，它既相当主要，又具有宏大的影响力，但绝大大都人其实不睬解。我以为这是夸大科学和创生力军的绝佳方法。”

　　机电驱动：IGBT 在电控体系中阐扬偏重要感化，经由过程准确掌握机电的导通形态，完成机电的准确调理。这进步了车辆的动力和能效。IGBT 的高功率密度和可控性使其成为机电掌握的幻想挑选，可完成更高效、更灵敏的驾驶体验。

　　Baliga传授在一份声明中暗示：“可以获此殊荣，我感应十分镇静。我特别快乐的是，千年手艺奖将使我的立异遭到存眷，由于 IGBT 是一种躲藏在社会视野以外的手艺。它使大批产物成为能够，这些产物改进了环球数十亿人的温馨度、便当性和安康，同时削减了二氧化碳排放，以减缓环球变暖。向公家引见这一影响深远的立异将展现当代手艺对人类的改进。”

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　　1987 年，杰克·韦尔奇决议退出半导体营业。1988 年Baliga分开了通用电气，在北卡罗来纳州立大学建立了功率半导体研讨中间 (PSRC)，开端了第一个专注于学术功率半导体器件研讨的举动。20 世纪 90 年月，PSRC 胜利开辟了首批高机能碳化硅肖特基整流器和逆变/积累通道功率 MOSFET，为电力电子机能的下一次奔腾奠基了根底。